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厚博电子(图)-陶瓷5G射频电阻-云南5G射频电阻

发布时间:2020-05-23 17:32:58        











在烧结过程中,有机粘合剂完全分解和挥发,固体粉料熔融,分解和化合,形成致密坚固的厚膜。厚膜的质量和性能与烧结过程和环境气氛密切相关,升温速度应当缓慢,以保证在玻璃流动以前有机物完全排除;烧结时间和峰值温度取决于所用浆料和膜层结构。为防止厚膜开裂,还应控制降温速度。常用的烧结炉是隧道窑。

为使厚膜网路达到性能,电阻烧成以后要进行调阻。常用调阻方法有喷砂、激光和电压脉冲调整等。

3.厚膜材料  

厚膜是指在基片上用印刷烧结技术所形成的厚度为几微米到数十微米的膜层。制造这种膜层的材料,称为厚膜材料。

厚膜材料是一类涂料或浆料,由一种或几种固体微粒(0.2~10微米)均匀悬浮于载体中而形成。为了便于印刷成形,浆料必须具有合适的粘度和触变性(粘度随外力而改变的性质)。固体微粒是厚膜的组成部分,决定膜的性质和用途。载体在烧结过程中分解逸出。载体至少含有三种成分,5G射频电阻印刷,树脂或聚合物粘合剂、溶剂和表面活化剂。粘合剂给浆料提供基本的流变特性;溶剂稀释树脂,随后挥发掉,以使印刷图样干涸;活化剂使固体微粒被载体浸润并适当分散于载体中。

按厚膜的性质和用途,所用的浆料有五类:导体、电阻、介质、绝缘和包封浆料。

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导体浆料用来制造厚膜导体,在厚膜电路中形成互连线、多层布线、微带线、焊接区、厚膜电阻端头、厚膜电容极板和低阻值电阻。焊接区用来焊接或粘贴分立元件、器件和外引线,有时还用来焊接上金属盖,以实现整块基片的包封。厚膜导体的用途各异,尚无一种浆料能满足所有这些用途的要求,所以要用多种导体浆料。对导体浆料的共同要求是电导大、附着牢、抗老化、成本低、易焊接。常用的导体浆料中的金属成分是金或者金-铂、钯-金、钯-银、铂-银和钯-铜-银。


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3 电阻设计

(1)阻值范围和方阻:

阻值范围:1Ω/--□--1MΩ/□ ,低于1Ω/□的电阻,可以用钯-银浆料作低 阻材料,其方阻为0.015Ω/□。为了设计规范化,采用1系列的方阻,即: 1Ω/□,100Ω/□,1KΩ/□,10KΩ/□,100KΩ/□,1MΩ/□等7种浆料, 供设计使用。

(2)设计值即靶值的选择:

一般选择80%的标称值。

(3)对于各种几何图形的电阻,靶值选择原则:

就钯—银端头而论:

长∶宽≤1/3的电阻 目标值为70~75%标称值

长∶宽=0.8~1.2的电阻 目标值为80~90%标称值

长∶宽=1.3~2.5的电阻 目标值为80%标称值

长∶宽=2.8~3.5或更大的电阻 目标值为70~75%标称值

对于金端头,相应减少5%,也就是说,金端头的阻值比钯—银阻值高5%左右。

(4)功率电阻的设计

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对于1/8W以上的功率电阻,结构形式如图5:


微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同,常用铝或钽作电容器的下极板,铝或金作上极板。

  对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。***常用的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅(NiCr-SiO2)。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta-Al-N)、钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。

  对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得***多的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构:Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有时还用氧化钇(Y2O3),氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。

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  为了减小薄膜网路中的寄生效应,绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等,适合于微波电路。


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